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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)产品(pǐn)进行(xíng)了网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施的运营者应停止采购(gòu)美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产(chǎn)品进(jìn)行网络安全审(shě压缩面膜和普通面膜哪个好，牛奶泡压缩面膜可以天天用吗n)查，目的(de)是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信息(xī)基础设施安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施(shī)。中国坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放(fàng)，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务(wù)进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文(wén)称(chēng)，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全，依据《中华(huá)人民(mín)共和国国家安(ān)全(quán)法》《中华(huá)人(rén)民共(gòng)和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qi压缩面膜和普通面膜哪个好，牛奶泡压缩面膜可以天天用吗ú) NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供(gōng)应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和第三大供应商采(cǎi)购金(jīn)额(é)占(zhàn)比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建(jiàn)立国内外(wài)广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报(bào)显示，江波龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约(yuē)，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司(sī)在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此(cǐ)前(qián)就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

　　分析(xī)称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键(jiàn)、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄(báo)膜(mó)沉积工艺(yì)步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔(kǒng)，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽，催生更多(duō)设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等相关公司(sī)份(fèn)额提升，以及(jí)存(cún)储业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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